Search In this Thesis
   Search In this Thesis  
العنوان
Synthesis and characterization of III-Nitride Semiconductor Layer Using PLD Compared with Another Technique for Optoelectronic Application /
المؤلف
Gad, Sara Mohamed Abd El-Azeem.
هيئة الاعداد
باحث / ساره محمد ع العظيم جاد
مشرف / يحي بدر
مشرف / ع الهادي بشير كشيوت
مشرف / --
الموضوع
Nitrides. Semiconductors.
تاريخ النشر
2019.
عدد الصفحات
xx, 148 p. :
اللغة
الإنجليزية
الدرجة
الدكتوراه
التخصص
الطاقة (متفرقات)
تاريخ الإجازة
1/1/2019
مكان الإجازة
جامعة القاهرة - المعهد القومى لعلوم الليزر - علوم الليزر وتفاعلاته
الفهرس
Only 14 pages are availabe for public view

from 175

from 175

Abstract

تعتمد هذه الدراسة على تحضير طبقة من مجموعة النيترايد الثلاثية (InxGa1-xN) التي تستخدم كطبقة فعالة في تحضير الباعث الضوئي الدايودي. وقد تم نحضير هذه الطبقة على شكل سبيكة تحت مـختلف درجات الحرارة والتي تتراوح بين 750، 950، 1150 C° ثم دراسة تغيير تركيز عنصر الانديوم بين 0.9, 0.7, 0.5، 0.3، 0.1 عند درجة حرارة 950 C° وقد تم تحضير هذه السبائك بطريقة Crystal growth والتي تعتمد كيفية التحكم في الوصول لدرجة الحرارة المطلوبة في فترة زمنية بطيئة حيث يتم وضع عنصري الانديوم والجاليوم في انبوب من السيليكا مفرغ من الهواء وتعبئته بغاز الأمونيا.