![]() | Only 14 pages are availabe for public view |
Abstract ان اكفأ الطرق للتحويل المباشر للطاقة الشمسية الى طاقة كهربية هى الخلية الشمسية . و تهدف هذه الرسالة الى تحسين كفاية التحويل للخلايا الشمسية و يتم هذا اولا بدراسة العوامل التى تحدد اداء الخلايا الشمسية , و التى يمكن تصنيفها الى عوامل اساسية و عوامل تكنولوجية . و يحتوى الفصل الأول على دراسة امكانات تحسين العوامل الأساسية و ذلك بامكان استخدام مواد جديدة خلاف السليكون و طرق جديدة مثل الخلية متعددة الطبقات وذات الإنتقال المتعدد و فى نهاية هذا الفصل عرض بتحديد مجال البحث . اما فى الفصل الثانى فيعالج طرق اعداد و خصائص وصلات P-N ذات الشوائب الغير منتظمة التوزيع و ذلك بدراسة توزيع الجهد و المجال الإستاتيكى و كذلك اعتماد اتساع الطبقة المنزوحة و سعتها على الجهد بين طرفيها و فى الفصل الثالث استعملت النتائج السابقة للمجال الإستاتيكى فى المعادلات التفاضلية الخاصة بالحاملات الأقلية . و لقد تم حل هذه المعادلات لبحث تأثيرات المجال الإستاتيكى و تدرجه على كفاية الخلية الشمسية المصنوعة من السليكون باستعمال شوائب لها توزيع يتبع دوال اسية و جاوسية و متممة دالة الخطأ و لقد وجد ان هناك تحسين فى كفاية الخلية ذات التوزيع السابق ذكره للشوائب بالمقارنة مع الوصلات الخالية من المجال الداخلى . و هذا التحسين يعتمد على دالة توزيع الشوائب _ و لقد تبين ان الطريقة المثلى لتوزيع الشوائب هى تلك التى تحدث مجال استاتيكى داخلى كبير ذو تدرج بطىء والفصل الرابع يوضح الإحتياطات الازمة لتقليل فقد الإنعكاس عند سطح الخلية الشمسية . و قد امكن الوصول الى هذا الهدف اساسا باستعمال اغطية مناسبة و الفصل الخامس يناقش العلاقة بين التيار و الجهد للخلية الشمسية مع وجود و عدم وجود حمل , و كذلك تأتثير توزيع الشوائب على مقاومتها الداخلية و الثخانة المثلى لطبقات الفجوات لأكبر قدره فى الخرج . و الفصل السادس تم فيه عرض النتائج للدراسة و منها تبين لنا امكانية الحصول على حوالى 15 فى المائة كفاية تحويل الخلايا الشمسية المصنوعة من السليكون باستعمال شوائب لها توزيع يتبع دالة أسية و تقارن هذه القيمة بحوالى 12 فى المائة للخلايا الخالية من المجال الداخلى . و فى نهاية الرسالة ملحق رياضى لحل معادلة الإستمرار للحوامل الأقلية بالإضافى الى ملحق للبرامج المستخدمة لإيجاد النتائج . و لقد كتبت هذه البرامج للحاسب الإلكترونى الرقمى 1905 حـ آى سى ال و الموجود فى جامعة القاهرة . |